三菱电机推出新款1200V SiC-MOSFET 功耗低

http://www.qipei.hc360.com2020年06月22日10:44 来源:盖世汽车作者:余秋云T|T

  据外媒报道,近日,日本三菱电机公司(Mitsubishi Electric Corporation)宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),该产品功率损耗低且自接通耐受性高,还可以帮助降低功耗,实现电动汽车(EV)车载充电器、光伏电力系统等供电系统(需要转换高压)的小型化,产品样品将于今年7月开始发货。

  三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET,包括将于11月16日至18日在中国上海举办的2020 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)上进行展示。

  产品特点:

  1、 降低功耗,实现供电系统的小型化

  A、结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻,还让其达到行业领先的品质因数(FOM)——1,450mΩ·nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管(Si-IGBT)相比,用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。

  B、通过降低镜面电容(在MOSFET结构中,栅极和漏极之间存在的杂散电容),与竞争对手的产品相比,1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此,可实现快速的开关操作,降低开关损耗。

  C、由于降低了开关功率损耗,通过驱动具有更高载频的功率半导体,得以实现冷却系统及周边部件(如反应器)的小型化和简单化,从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。

  2、 有六款1200V SiC-MOSFET,包括符合AEC-Q101规格的型号,适用于各种应用

  A、N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号,因此,该产品不仅适用于光伏系统等工业应用,也可用于电动汽车车载充电器。(转载于:车质网)

责任编辑:庞小涵

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